Heddiw, gadewch i ni edrych ar OFC2024ffotosynwyryddion, sy'n bennaf yn cynnwys GeSi PD / APD, InP SOA-PD, ac UTC-PD.
1. Mae UCDAVIS yn sylweddoli 1315.5nm soniarus wan Fabry-Perot nad yw'n gymesurffotosynhwyryddgyda chynhwysedd bach iawn, amcangyfrifir ei fod yn 0.08fF. Pan fo'r gogwydd yn -1V (-2V), y cerrynt tywyll yw 0.72 NA (3.40 NA), a'r gyfradd ymateb yw 0.93a /W (0.96a /W). Y pŵer optegol dirlawn yw 2 mW (3 mW). Gall gefnogi arbrofion data cyflym 38 GHz.
Mae'r diagram canlynol yn dangos strwythur yr AFP PD, sy'n cynnwys canllaw tonnau wedi'i gyplu Ge-on-Si ffotosynhwyryddgydag arweiniad tonnau SOI-Ge blaen sy'n cyflawni cyplydd paru modd > 90% ag adlewyrchedd o <10%. Mae'r cefn yn adlewyrchydd Bragg gwasgaredig (DBR) gydag adlewyrchedd o >95%. Trwy'r dyluniad ceudod wedi'i optimeiddio (cyflwr paru cyfnod taith gron), gellir dileu adlewyrchiad a thrawsyriant cyseinydd AFP, gan arwain at amsugno'r synhwyrydd Ge i bron i 100%. Dros y lled band 20nm cyfan o'r donfedd ganolog, R+T <2% (-17 dB). Y lled Ge yw 0.6µm ac amcangyfrifir bod y cynhwysedd yn 0.08fF.
2, cynhyrchodd Prifysgol Gwyddoniaeth a Thechnoleg Huazhong germaniwm siliconffotodiode eirlithriad, lled band >67 GHz, cynnydd >6.6. Y SACMSynhwyrydd ffoto APDstrwythur cyffordd pipin traws yn cael ei ffugio ar lwyfan optegol silicon. Mae germaniwm cynhenid (i-Ge) a silicon cynhenid (i-Si) yn gwasanaethu fel yr haen amsugno golau a haen dyblu electron, yn y drefn honno. Mae rhanbarth i-Ge gyda hyd o 14µm yn gwarantu amsugno golau digonol ar 1550nm. Mae'r rhanbarthau bach i-Ge ac i-Si yn ffafriol i gynyddu'r dwysedd ffotocurrent ac ehangu'r lled band o dan foltedd gogwydd uchel. Mesurwyd map llygaid APD ar -10.6 V. Gyda phŵer optegol mewnbwn o -14 dBm, dangosir map llygad y signalau OOK 50 Gb/s a 64 Gb/s isod, a'r SNR wedi'i fesur yw 17.8 a 13.2 dB , yn y drefn honno.
3. Mae cyfleusterau llinell beilot BiCMOS 8-modfedd IHP yn dangos germaniwmSynhwyrydd ffoto PDgyda lled esgyll o tua 100 nm, a all gynhyrchu'r maes trydan uchaf a'r amser drifft ffotogludwr byrraf. Mae gan Ge PD led band OE o 265 GHz@2V@1.0mA DC photocurrent. Dangosir llif y broses isod. Y nodwedd fwyaf yw bod y mewnblaniad ïon cymysg SI traddodiadol yn cael ei adael, a mabwysiadir y cynllun ysgythru twf er mwyn osgoi dylanwad mewnblannu ïon ar germaniwm. Y cerrynt tywyll yw 100nA, R = 0.45A / W.
4, mae HHI yn arddangos InP SOA-PD, sy'n cynnwys SSC, MQW-SOA a ffotodetector cyflymder uchel. Ar gyfer yr O-band. Mae gan PD ymatebolrwydd o 0.57 A/W gyda llai nag 1 dB PDL, tra bod gan SOA-PD ymatebolrwydd o 24 A/W gyda llai nag 1 dB PDL. Lled band y ddau yw ~60GHz, a gellir priodoli'r gwahaniaeth o 1 GHz i amledd cyseiniant yr SOA. Ni welwyd unrhyw effaith patrwm yn y ddelwedd llygad wirioneddol. Mae'r SOA-PD yn lleihau'r pŵer optegol gofynnol tua 13 dB ar 56 GBaud.
5. Mae ETH yn gweithredu GaInAsSb/InP UTC-PD gwell Math II, gyda lled band o 60GHz @ sero ogwydd a phŵer allbwn uchel o -11 DBM ar 100GHz. Parhad o'r canlyniadau blaenorol, gan ddefnyddio galluoedd trafnidiaeth electronau gwell GaInAsSb. Yn y papur hwn, mae'r haenau amsugno wedi'u optimeiddio yn cynnwys GaInAsSb wedi'i ddopio'n drwm o 100 nm a GaInAsSb heb ei dopio o 20 nm. Mae'r haen NID yn helpu i wella'r ymatebolrwydd cyffredinol a hefyd yn helpu i leihau cynhwysedd cyffredinol y ddyfais a gwella'r lled band. Mae gan yr UTC-PD 64µm2 lled band dim rhagfarn o 60 GHz, pŵer allbwn o -11 dBm ar 100 GHz, a cherrynt dirlawnder o 5.5 mA. Ar ogwydd gwrthdro o 3 V, mae'r lled band yn cynyddu i 110 GHz.
6. Sefydlodd Innolight fodel ymateb amlder ffotodetector germanium silicon ar sail ystyried yn llawn dopio dyfeisiau, dosbarthiad maes trydan ac amser trosglwyddo cludwr a gynhyrchir gan luniau. Oherwydd yr angen am bŵer mewnbwn mawr a lled band uchel mewn llawer o gymwysiadau, bydd mewnbwn pŵer optegol mawr yn achosi gostyngiad mewn lled band, yr arfer gorau yw lleihau'r crynodiad cludwr yn germaniwm trwy ddyluniad strwythurol.
7, dyluniodd Prifysgol Tsinghua dri math o strwythur haen drifft dwbl UTC-PD, (1) lled band 100GHz (DDL) gyda phŵer dirlawnder uchel UTC-PD, (2) strwythur haen drifft dwbl lled band 100GHz (DCL) gydag ymatebolrwydd uchel UTC-PD , (3) 230 GHZ lled band MUTC-PD gyda phŵer dirlawnder uchel, Ar gyfer gwahanol senarios cais, gall pŵer dirlawnder uchel, lled band uchel ac ymatebolrwydd uchel fod yn ddefnyddiol yn y dyfodol wrth fynd i mewn i gyfnod 200G.
Amser post: Awst-19-2024