Effaith deuod carbid silicon pŵer uchel ar PIN Photodetector
Mae deuod PIN carbid silicon pŵer uchel bob amser wedi bod yn un o'r mannau problemus ym maes ymchwil dyfeisiau pŵer.Deuod grisial yw deuod PIN sydd wedi'i adeiladu trwy ryngosod haen o lled-ddargludydd cynhenid (neu lled-ddargludydd â chrynodiad isel o amhureddau) rhwng y rhanbarth P+ a'r rhanbarth n+.Mae'r i yn PIN yn dalfyriad Saesneg ar gyfer ystyr "cynhenid", oherwydd mae'n amhosibl bodoli lled-ddargludydd pur heb amhureddau, felly mae haen I y deuod PIN yn y cymhwysiad yn gymysg fwy neu lai â swm bach o P. -math neu N-math amhureddau.Ar hyn o bryd, mae'r deuod PIN carbid silicon yn bennaf yn mabwysiadu strwythur Mesa a strwythur awyren.
Pan fydd amlder gweithredu deuod PIN yn fwy na 100MHz, oherwydd effaith storio ychydig o gludwyr a'r effaith amser cludo yn haen I, mae'r deuod yn colli'r effaith unioni ac yn dod yn elfen rhwystriant, ac mae ei werth rhwystriant yn newid gyda'r foltedd gogwydd.Gyda thuedd sero neu ogwydd gwrthdro DC, mae'r rhwystriant yn rhanbarth I yn uchel iawn.Mewn rhagfarn ymlaen DC, mae rhanbarth I yn cyflwyno cyflwr rhwystriant isel oherwydd chwistrelliad cludwr.Felly, gellir defnyddio'r deuod PIN fel elfen rhwystriant amrywiol, ym maes rheolaeth microdon a RF, yn aml mae angen defnyddio dyfeisiau newid i gyflawni newid signal, yn enwedig mewn rhai canolfannau rheoli signal amledd uchel, mae gan ddeuodau PIN uwchraddol. Galluoedd rheoli signal RF, ond hefyd yn cael eu defnyddio'n helaeth mewn shifft cam, modiwleiddio, cyfyngu a chylchedau eraill.
Defnyddir deuod carbid silicon pŵer uchel yn eang ym maes pŵer oherwydd ei nodweddion ymwrthedd foltedd uwch, a ddefnyddir yn bennaf fel tiwb cywiro pŵer uchel.Mae gan y deuod PIN foltedd dadelfennu critigol uchel o'r cefn VB, oherwydd yr haen ddopio isel yn y canol sy'n cario'r prif ostyngiad foltedd.Gall cynyddu trwch parth I a lleihau crynodiad dopio parth Rwy'n effeithiol wella foltedd dadansoddiad gwrthdro'r deuod PIN, ond bydd presenoldeb parth I yn gwella'r gostyngiad foltedd ymlaen VF y ddyfais gyfan ac amser newid y ddyfais. i raddau, a gall y deuod a wneir o ddeunydd silicon carbid wneud iawn am y diffygion hyn.Silicon carbid 10 gwaith y maes trydanol dadansoddiad critigol o silicon, fel y gellir lleihau trwch parth deuod silicon carbid I i un rhan o ddeg o'r tiwb silicon, tra'n cynnal foltedd dadansoddiad uchel, ynghyd â dargludedd thermol da deunyddiau carbid silicon , ni fydd unrhyw broblemau afradu gwres amlwg, felly mae deuod carbid silicon pŵer uchel wedi dod yn ddyfais unioni pwysig iawn ym maes electroneg pŵer modern.
Oherwydd ei gerrynt gollyngiadau gwrthdro bach iawn a symudedd cludwr uchel, mae deuodau carbid silicon yn atyniad mawr ym maes canfod ffotodrydanol.Gall cerrynt gollyngiadau bach leihau cerrynt tywyll y synhwyrydd a lleihau sŵn;Gall symudedd cludwr uchel wella sensitifrwydd synhwyrydd PIN carbid silicon (PIN Photodetector) yn effeithiol.Mae nodweddion pŵer uchel deuodau carbid silicon yn galluogi synwyryddion PIN i ganfod ffynonellau golau cryfach ac fe'u defnyddir yn eang yn y maes gofod.Rhoddwyd sylw i ddeuod carbid silicon pŵer uchel oherwydd ei nodweddion rhagorol, ac mae ei ymchwil hefyd wedi'i ddatblygu'n fawr.
Amser post: Hydref-13-2023